N 채널 강화 모드 전원 MOSFET JY11M 하드 스위치 및 고주파 회로

제품 상세 정보:

원래 장소:	중국
브랜드 이름:	JEUNKEI
인증:	ISO9001,CE
모델 번호:	JY11M

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량:	50 PC (이용 가능한 샘플)
가격:	USD0.5-USD1/PC
포장 세부 사항:	수출을 위한 한 벌
배달 시간:	발주량 /Negotiable에 의존하세요
지불 조건:	전신환,, 서양인 조합, 페이팔
공급 능력:	하루당 1000PCS

상세 제품 설명

이름:	n채널 MOSFET	모델 번호:	JY11M
종류:	n채널	드레인-소스 전압:	100V(Tc=25℃)
게이트-소스 전압:	±20V	연속배수 경향:	110A(Tc=25℃)
최대 전력 손실:	210W	결합과 보존온도범위를 운영하기:	-55~+175℃
역체 회복:	그래요
강조하다:	강화 모드 전력 모스페트 N 채널 , 증강 모드 전력 모스페트 JY11M , 하드 켜진 강화 모드 전원 모스페트

일반 설명:

JY11M는 높은 세포 밀도를 달성하기 위해 최신 트렌치 처리 기술을 활용하고 고 반복적인 돌풍 등급으로 온 저항을 줄입니다.
이 디자인은 전력 전환 응용 프로그램 및 다양한 다른 응용 프로그램에서 사용할 수있는 매우 효율적이고 신뢰할 수있는 장치로 만듭니다.

특징:

● 100V/110A, RDS ((ON) =6.5mΩ@VGS=10V
● 신속 한 전환 및 역체 회복
● 완전히 특징화 된 대산 전압 및 전류
● 열 을 잘 분산 시키기 위한 훌륭 한 패키지

응용 프로그램:

● 애플리케이션 변경
● 하드 스위치 및 고 주파수 회로
● 인버터 시스템 의 전력 관리

PIN 설명:

절대 최대 등급 (Tc=25°C 다른 표시가 없는 한):

기호	매개 변수		한계	단위
VDS	배수 소스 전압		100	V
VGS	게이트 소스 전압		±20	V
난D	연속 배수 전류	TC=25°C	110	A
		TC=100°C	82
난DM	펄스드레인 전류		395	A
PD	최대 전력 분산		210	W
TJTSTG	작동 접점 및 저장 온도 범위		-55~+175	°C
RΘJC	열 저항 - 케이스에 연결		0.65	°C/W
RθJA	열 저항-환경과의 접합		62

TO220-3 패키지 개요:

기호	mm			인치			기호	mm			인치
기호	분	이름	맥스	분	이름	맥스	기호	분	이름	맥스	분	이름	맥스
A	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
b	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
b2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	L	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
C	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
D	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	2.50REF			0.098REF
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	Q	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.7	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.94	0.401